《半导体物理》课程考试大纲
一、适用专业：
集成电路工程
二、参考书目：
1.刘恩科 朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社
三、考试内容与基本要求：
第一章 绪论
[考试要求]
本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求;了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。
[考试内容]
①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念
②晶体中的缺陷、晶格振动
③晶体中的电子运动
第二章 半导体中的电子状态
[考试要求]
本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。
[考试内容]
①电子、空穴和有效质量的概念
②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象
③常用半导体的能带结构
④半导体中的杂质和缺陷
第三章 热平衡状态下载流子的统计分布
[考试要求]
本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念， 掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。
[考试内容]
①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式
②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度
③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化
④简并半导体
第四章 载流子的漂移和扩散
[考试要求]
本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。
[考试内容]
①半导体中载流子的各种散射机制
②电导率和迁移率
③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系
④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系
⑤强电场效应，热载流子
第五章 非平衡载流子
[考试要求]
本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。
[考试内容]
①非平衡载流子的注入与复合
②各种复合理论
③连续性方程
第六章 p-n结
[考试要求]
本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。
[考试内容]
①p-n结及其能带图
②理想p-n结的电流电压关系
③实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿
④p-n结电容
⑤p-n结隧道效应 隧道结
第七章 金属和半导体接触
[考试要求]
本章要求学生掌握金属半导体接触的能带图及其电流电压关系，了解欧姆接触和肖特基势垒。
[考试内容]
(1)学习要求
①金属半导体接触的能带图及其电流电压关系
②欧姆接触
③肖特基势垒
第八章 半导体表面与MIS结构
[考试要求]
本章要求学生掌握表面态和表面电场效应，了解MIS结构及应用。
[考试内容]
①半导体表面能带和空间电荷区
②MIS结构及应用
第九章 半导体的光、热效应
[考试要求]
本章要求学生了解半导体的光电导和光生伏特效应及它们的应用，了解半导体激光，了解半导体的热电效应及其应用。
[考试内容]
①半导体的光电导和光生伏特效应及其应用
②半导体的热电效应及其应用
第十章 半导体的磁效应
[考试要求]
本章要求学生了解霍尔效应及其应用，了解半导体的磁阻效应。
[考试内容]
①霍尔效应及其应用
